一種實時動態(tài)無損測試儲層zeta電位的方法,清潔處理二氧化硅半球樣品,放置二氧化硅樣品進入樣品池;啟動二次諧波光譜設(shè)備,并開始進行波數(shù)和能量檢查;首先測試二氧化硅半球單獨存在下去離子水和目標溶液的二次諧波光譜信號強度;放置儲層樣品進入樣品池,獲取總體樣品存在下的信號強度:測量的總體樣品信號強度減去二氧化硅樣品強度得到儲層的二次諧波樣品強度;二次諧波信號強度歸一化處理;進行儲層二次諧波的pH滴定實驗,獲取儲層等電點(pzc)性質(zhì),依次確定二階磁化率的大小χ(2);數(shù)學(xué)計算得到儲層的zeta電位;本發(fā)明能夠?qū)崟r動態(tài)無損測試在任何溶液環(huán)境下儲層的zeta電位,彌補了以往zeta電位儀測量在高濃度和高pH值失效的不足。
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“實時動態(tài)無損測試儲層zeta電位的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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