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采用變溫PL譜獲取半導體材料雜質電離能的無損測量方法

925   編輯：管理員   來源：中冶有色技術網  
2023-03-19 08:57:58
一種采用變溫PL譜獲取半導體材料雜質電離能的無損測量方法，其是通過分析半導體材料變溫PL譜譜峰強度隨溫度升高而下降的熱淬滅行為，計算獲得半導體材料的雜質電離能，具體方法包括：步驟1：測量待測半導體材料的變溫PL譜；步驟2：通過譜峰擬合，獲得待測半導體材料在不同溫度下的熱淬滅峰譜峰強度；步驟3：擬合熱淬滅峰譜峰強度?溫度關系實驗數據，獲得半導體材料雜質電離能，包括施主雜質電離能和受主雜質電離能；步驟4：重復步驟1?3，多次測量待測半導體材料的雜質電離能，采用最小二乘法，計算多次測量后的雜質電離能。本發(fā)明是利用無損的光譜解析技術，克服了現有測試手段復雜有損的技術缺點，不僅快速簡便、精度高，而且對于測試材料無損。
聲明：
“采用變溫PL譜獲取半導體材料雜質電離能的無損測量方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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