本發(fā)明公開了一種無損測量IGBT模塊并聯(lián)
芯片中最高芯片溫度和最低芯片溫度的方法,首先在不同溫度下,測量模塊溫度均勻時的閾值電壓和開通延遲時間,獲得校溫曲線庫;然后在模塊工作條件下,測量閾值電壓和開通延遲時間;最后將測量值與校溫曲線庫進(jìn)行對比,分別獲得模塊并聯(lián)芯片中最高芯片溫度和最低芯片溫度。IGBT芯片并聯(lián)是提高大容量變換器輸出電流的有效途徑,然而,各個芯片散熱條件的差異將會導(dǎo)致IGBT模塊并聯(lián)芯片中芯片溫度不均勻,造成模塊的靜態(tài)不均流和動態(tài)不均流,嚴(yán)重影響模塊的開關(guān)特性,導(dǎo)致某個芯片在開通關(guān)斷瞬間承擔(dān)過大電流,極易燒毀芯片,影響整個模塊可靠運(yùn)行;本方法可以測量模塊并聯(lián)芯片中最高芯片溫度和最低芯片溫度。
聲明:
“無損測量IGBT模塊并聯(lián)芯片中最高芯片溫度和最低芯片溫度的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)