提供一種測(cè)量金屬結(jié)構(gòu)的氫擴(kuò)散率的方法。所述方法包含將氫充電表面設(shè)置在所述結(jié)構(gòu)的外表面上的第一位置處,和將氫氧化表面設(shè)置在鄰近于所述結(jié)構(gòu)的所述外表面上的所述第一位置的第二位置處。產(chǎn)生氫通量并將其引導(dǎo)到所述充電表面處的金屬表面中。檢測(cè)由所述充電表面產(chǎn)生并轉(zhuǎn)回到所述表面的所述氫通量的至少一部分,并且測(cè)量轉(zhuǎn)移的氫通量的瞬態(tài)。接著基于測(cè)量到的瞬態(tài)確定所述金屬結(jié)構(gòu)的所述氫擴(kuò)散率。
聲明:
“用于無損測(cè)量氫擴(kuò)散率的設(shè)備和方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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