本發(fā)明涉及一種p型摻雜6H?碳化硅晶體的無(wú)損判定方法,使用變溫拉曼光譜,對(duì)待測(cè)的p型摻雜6H?SiC晶體樣品進(jìn)行光譜測(cè)量,探測(cè)光的入射方向?yàn)檠豐iC晶片的(0001)方向,變溫測(cè)量為室溫到673K溫度范圍,溫度間隔為50K。分析對(duì)比載流子敏感的A1縱向光學(xué)模,根據(jù)其強(qiáng)度及峰位的變化,可以判斷樣品是否為p型摻雜。有益效果是采用基于光譜分析法,對(duì)p型Al摻雜6H?碳化硅晶體的載流子濃度進(jìn)行檢測(cè)和分析,無(wú)需像霍爾測(cè)量一樣的鍍電極,對(duì)待測(cè)樣品無(wú)損傷,檢測(cè)過(guò)程可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化和程序控制,可對(duì)出廠產(chǎn)品進(jìn)行全面檢驗(yàn),也可應(yīng)用于目前市場(chǎng)存在的2、3、4、6英寸完整晶圓產(chǎn)品檢驗(yàn)。
聲明:
“p型摻雜6H-碳化硅晶體的無(wú)損判定方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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