本發(fā)明公開(kāi)了一種基于液相拋光環(huán)境調(diào)控的單晶硅無(wú)損拋光方法,實(shí)施步驟包括:將單晶硅工件完全淹沒(méi)放置在容器中的拋光液中并進(jìn)行CCOS拋光加工,且在加工過(guò)程中檢測(cè)并控制拋光液pH值;將單晶硅工件清洗去除大尺寸顆粒殘留;采用離子束刻蝕工藝去除單晶硅工件表面的微小顆粒殘留。本發(fā)明能夠避免現(xiàn)有的單晶硅加工方法中引入大粒徑污染、造成工件表面產(chǎn)生劃痕的問(wèn)題,加工出的工件表面污染低于檢出限,具有可操作性強(qiáng)、原料來(lái)源廣泛、工藝流程簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“基于液相拋光環(huán)境調(diào)控的單晶硅無(wú)損拋光方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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