本發(fā)明提供了一種GaN發(fā)光二極管抗輻照能力無損篩選方法及裝置,所述方法包括:獲取隨機子樣器件的輸出光功率Pout和1/f噪聲幅值B;獲取經(jīng)過輻照實驗后的所述隨機子樣器件的輸出光功率Pout′;基于所述Pout和所述Pout′,計算退化量ΔPout=Pout′?Pout;以所測量的1/f噪聲幅值B作為信息參數(shù),以輸出光功率退化量ΔPout作為輻照性能參數(shù),采用線性回歸法建立B和ΔPout之間的線性回歸方程并計算得到線性回歸方程中的ΔPout和信息參數(shù)B的系數(shù)向量建立信息參數(shù)B和輻照性能參數(shù)之間的無損篩選回歸預測方程:利用所述無損篩選回歸預測方程預測單個器件的抗輻照性能。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)在對元器件無損壞的前提下,進行對GaN發(fā)光二極管元器件準確、高效的篩選。
聲明:
“GaN發(fā)光二極管抗輻照能力無損篩選方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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