本發(fā)明公開了一種基于單對(duì)電極電容成像檢測(cè)技術(shù)提離效應(yīng)的缺陷判別方法，涉及無損檢測(cè)信號(hào)處理領(lǐng)域，包括：接收輸入的單對(duì)電極電容成像n次提離檢測(cè)信號(hào)，對(duì)所述Ln提離下求缺陷判別畸變率信號(hào)ΔYn＝(Yn?Ybn)/Ybn，并將所述畸變率信號(hào)ΔYn輸入到低通濾波器；判斷低通濾波器輸出的ΔYn的絕對(duì)值是否大于等于預(yù)設(shè)閥值P0；如果是，判斷有缺陷存在；如果否，判斷缺陷不存在；當(dāng)缺陷存在，判斷所述ΔYn是否小于0；如果是，判斷缺陷為非導(dǎo)體層表面缺陷；如果否，判斷ΔYn是否大于ΔYn?1；如果是，判斷缺陷為非導(dǎo)體層內(nèi)部缺陷；如果一直不存在ΔYn大于ΔYn?1，判斷缺陷為分界面缺陷。本發(fā)明通過對(duì)多提離檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行處理，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)判別缺陷類型和實(shí)現(xiàn)報(bào)警。