一種工作在亞閾區(qū)的高精度電流檢測(cè)電路,屬于模擬集成電路技術(shù)領(lǐng)域。包括采樣單元、檢測(cè)單元和動(dòng)態(tài)偏置單元,采樣單元用于采樣待檢測(cè)電流,待檢測(cè)電流流過(guò)第二PMOS管引起第二PMOS管漏端電壓的改變;檢測(cè)單元利用第一PMOS管將第二PMOS管的電流復(fù)制,再通過(guò)將待檢測(cè)電流反應(yīng)到第一電阻兩端電壓上實(shí)現(xiàn)電流檢測(cè),動(dòng)態(tài)偏置單元將待檢測(cè)電流無(wú)損耗的傳送到檢測(cè)單元,通過(guò)引入電壓反饋和電流反饋,保證A點(diǎn)電壓隨B點(diǎn)電壓動(dòng)態(tài)變化,并控制MOS管工作在亞閾區(qū),一方面降低了功耗,另一方面減少了電流流失,提高了檢測(cè)精度。
聲明:
“工作在亞閾區(qū)的高精度電流檢測(cè)電路” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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