本發(fā)明公開了一種大尺寸硅單晶片表面有機(jī)物沾污的紅外鏡反射檢測方法。本發(fā)明使用傅立葉變換紅外光譜儀對(duì)300mm大尺寸硅單晶片進(jìn)行表面檢測,將經(jīng)堿性拋光液處理后的300mm大尺寸硅單晶片作為樣品放入鏡反射附件樣品臺(tái),對(duì)樣品進(jìn)行紅外掃描,得到鏡反射紅外光譜圖,與表面潔凈的硅單晶片紅外反射圖譜進(jìn)行對(duì)比,根據(jù)圖譜峰出現(xiàn)的位置,在波數(shù)為3400cm-1-2800cm-1和1700cm-1-1460cm-1位置處出現(xiàn)強(qiáng)吸收,表明硅單晶片表面含有拋光液殘留。本發(fā)明方法在整個(gè)檢測過程中不需要對(duì)樣品進(jìn)行任何處理,對(duì)樣品不會(huì)造成任何損壞,是一種先進(jìn)的無損檢測方法。
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“大尺寸硅單晶片表面有機(jī)物沾污的紅外鏡反射檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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