本發(fā)明提供的檢測晶片基底二維形貌的裝置,屬于
半導(dǎo)體材料無損檢測技術(shù)領(lǐng)域。該檢測晶片基底二維形貌的裝置包括具有與N束激光一一對應(yīng)N個第一分光片和與N束激光一一對應(yīng)的N個第二分光片,N個第一分光片和N個第二分光片上分別設(shè)有鍍膜區(qū)域,鍍膜區(qū)域使各分光片形成不同的反射率和透過率,從而通過第一分光片和第二分光片可以入射到樣品上后返回的N束光分成兩個方向,分別進行探測,鍍膜區(qū)域反射和透射的性質(zhì)則根據(jù)個第一種反射光束的傳播方向決定,而通過在分光片的不同區(qū)域鍍不同性質(zhì)的鍍膜滿足檢測晶片基底二維形貌的裝置對光路傳播的要求,由于鍍膜精度極高,因此,能夠保證不同傳播方向PSD接收到的光的一致性。
聲明:
“檢測晶片基底二維形貌的裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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