本發(fā)明提供了一種晶圓鍵合質量檢測方法及系統(tǒng),檢測方法包括如下步驟:提供第一晶圓和第二晶圓,第一晶圓包括疊置的第一硅層和第一鍵合金屬層,第二晶圓包括疊置的第二硅層和第二鍵合金屬層,第一晶圓和第二晶圓通過第一鍵合金屬層與第二鍵合金屬層相互鍵合以形成測試結構;對測試結構進行電流電壓測試,得到測試結構的電流電壓測試曲線,并根據(jù)電流電壓測試曲線表征測試結構的鍵合質量。本發(fā)明針對低溫鍵合晶圓界面的質量評估需求,通過對測試結構進行電流電壓測試,實現(xiàn)了對晶圓鍵合質量快速且無損的表征,揭示了鍵合界面的電學特性,對于三維單片集成工藝的開發(fā)具有重要意義。
聲明:
“晶圓鍵合質量檢測方法及系統(tǒng)” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)