本發(fā)明涉及一種檢測(cè)氧化堆垛層錯(cuò)的方法,所屬硅片檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,包括先對(duì)硅片進(jìn)行退火處理,硅片的氧化退火在氧化退火爐上進(jìn)行,將硅片置于碳化硅舟上,在750℃下碳化硅舟進(jìn)入,在1100℃溫度下,通入氧氣和氫氣合成的高溫水汽。經(jīng)過(guò)一小時(shí)化學(xué)反應(yīng)后,降溫碳化硅舟推出,冷卻至室溫后取下硅片。將硅片使用X射線形貌術(shù)進(jìn)行氧化堆垛層錯(cuò)測(cè)試。硅片退火后,使用X射線形貌術(shù)測(cè)量得到的形貌圖中若顯示實(shí)心圓狀或環(huán)狀深灰色陰影,即代表此處有氧化堆垛層錯(cuò)存在。具有穩(wěn)定性好、無(wú)損傷和無(wú)污染的特點(diǎn)。解決了擇優(yōu)腐蝕液含有重金屬鉻對(duì)環(huán)境和人體有害的問(wèn)題。
聲明:
“檢測(cè)氧化堆垛層錯(cuò)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)