本申請(qǐng)涉及一種納米薄膜靜電疲勞測(cè)試方法,屬于納米薄膜靜電測(cè)試方法技術(shù)領(lǐng)域。納米薄膜靜電疲勞測(cè)試方法包括提供納米薄膜;提供電極板;提供位移傳感器;提供直流電壓源;提供絕緣支撐件,絕緣支撐件具有檢測(cè)通孔;將絕緣支撐件支撐于納米薄膜和電極板之間,使電極板位于檢測(cè)通孔的下方,納米薄膜覆蓋于檢測(cè)通孔的上方且與電極板平行設(shè)置,將直流電壓源的正極與納米薄膜電連接,將直流電壓源的負(fù)極與電極板電連接;啟動(dòng)直流電壓源,通過(guò)位移傳感器測(cè)量納米薄膜向檢測(cè)通孔內(nèi)凹陷的位移量。該納米膜靜電疲勞測(cè)試方法,易操作、對(duì)納米薄膜無(wú)損傷,且適用于現(xiàn)場(chǎng)實(shí)測(cè)。
聲明:
“納米薄膜靜電疲勞測(cè)試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)