本發(fā)明公開了一種單透鏡型晶片基底溫度測量裝置,屬于
半導體材料無損檢測技術(shù)領域。該裝置在光束入射至晶片基底之前,將透鏡設置于分光平片之后,而在形成第二種反射光束之后,將透鏡設置于分光平片之前,這樣,只需要應用一個透鏡即可,無需選用兩個透鏡,或者,在選用激光器和探測器時,無需它們自身集成有透鏡,使得檢測晶片基底二維形貌的裝置的成本降低。
聲明:
“單透鏡型晶片基底溫度測量裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)