本發(fā)明提供了一種測(cè)量半導(dǎo)體非平衡載流子壽命的新方法。是用光注入方法在半導(dǎo)體中激發(fā)自由載流子,移動(dòng)反射譜反射邊的頻率位置,從而使另一束頻率在反射邊上的入射光在半導(dǎo)體表面的反射率大幅度地變化。利用這方法來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體內(nèi)非平衡載流子的壽命,不僅對(duì)制作樣品無(wú)嚴(yán)格要求,而且是無(wú)損傷、非接觸測(cè)量,可以研究各種能量狀態(tài)下的載流子壽命,更可以檢查樣品的均勻性。
聲明:
“測(cè)量半導(dǎo)體非平衡載流子壽命的新方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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