本發(fā)明公開了一種測量半導(dǎo)體材料表面微結(jié)構(gòu)缺陷的顯微成像裝置和方法。所述測試裝置包括：光源、偏振調(diào)制反射差分系統(tǒng)、分光棱鏡、掃描平臺、共聚焦顯微系統(tǒng)、信號采集系統(tǒng)。根據(jù)光彈性效應(yīng)原理以及晶體缺陷理論可知，半導(dǎo)體材料表面的微結(jié)構(gòu)缺陷雖然自身很小，但是會在其周圍產(chǎn)生一個(gè)相對自身很大的應(yīng)變分布場，而該應(yīng)變場會產(chǎn)生光學(xué)反射各向異性信號，該測試方法通過測量微結(jié)構(gòu)缺陷周圍每一測量點(diǎn)處光學(xué)反射各向異性信號，從而可以直接獲得微結(jié)構(gòu)缺陷附近與應(yīng)變場相關(guān)且隨著空間位置變化的光學(xué)反射各向異性顯微成像圖，進(jìn)而獲得缺陷的種類、密度和應(yīng)變分布等信息。本發(fā)明對材料微結(jié)構(gòu)缺陷的表征具有操作簡便快捷、無損傷、可移植性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。