本發(fā)明屬于光學(xué)領(lǐng)域,涉及一種納米級(jí)薄膜厚度的測量方法,特別是指一種利用光子自旋霍爾效應(yīng)測量納米級(jí)薄膜厚度的方法。步驟如下:建立不同材料、各薄膜厚度下,PSHE分裂位移隨入射偏振態(tài)變化的理論數(shù)據(jù)庫;選取一組入射偏振,使入射光以某一初始入射偏振入射到被測薄膜表面,并獲取此入射偏振下的自旋分裂位移;依次改變?nèi)肷涔獾钠窠嵌?,得到自旋分裂位移隨入射偏振角變化的測量數(shù)據(jù);將所得測量數(shù)據(jù)與各薄膜厚度下的理論數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算和比對,確定被測薄膜的厚度。本發(fā)明利用不同入射偏振下的PSHE的自旋分裂位移與薄膜厚度的依賴關(guān)系,實(shí)現(xiàn)對金屬和非金屬材料薄膜厚度的非接觸、無損的高精度測量,該測量系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單、便于操作。
聲明:
“利用光子自旋霍爾效應(yīng)測量納米級(jí)薄膜厚度的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)