本發(fā)明提供了在線測(cè)試半導(dǎo)體器件襯底的方法,包括:在半導(dǎo)體器件襯底上形成低K介電材料,在低K介電材料表面形成頂部介質(zhì)阻擋層,再在低K介電材料和頂部介質(zhì)阻擋層中刻蝕出溝槽,然后在溝槽中填充金屬;進(jìn)行第一次化學(xué)機(jī)械研磨工藝,使填充的金屬頂部與溝槽頂部齊平,從而得到低K介電材料表面覆蓋有介質(zhì)阻擋層的互連層結(jié)構(gòu),作為待測(cè)半導(dǎo)體器件襯底;對(duì)低K介電材料表面覆蓋有介質(zhì)阻擋層的待測(cè)半導(dǎo)體器件襯底執(zhí)行在線測(cè)試;在線測(cè)試中填充的金屬頂部表面生成氧化物;進(jìn)行第二次化學(xué)機(jī)械研磨工藝,去除填充的金屬表面生成的氧化物和低K介質(zhì)材料表面的頂部介質(zhì)阻擋層。本發(fā)明確保在線測(cè)試后得到?jīng)]有氧化膜的互連結(jié)構(gòu)和無(wú)損傷的低K介電材料。
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“在線測(cè)試半導(dǎo)體器件襯底” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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