本發(fā)明一種提高GaN基LED
芯片外觀良率的測試方法。該方法是將異方性導(dǎo)電膜電氣導(dǎo)通的Z方向垂直于芯片表面放置在芯片電極上,在異方性導(dǎo)電膜無需與芯片電極對位的情況下實現(xiàn)測試探針與所述芯片電極的非接觸電連接,進(jìn)行LED芯片測試。本發(fā)明在LED芯片測試中引入異方性導(dǎo)電膜,利用其不同維度導(dǎo)電性能的差異,實現(xiàn)測試針與芯片電極的非接觸測量,達(dá)到無損測試、提高GaN基LED芯片外觀良率的要求。
聲明:
“提高GaN基LED芯片外觀良率的測試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)