本發(fā)明公開了一種基于二維材料/絕緣層/半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的寬光譜光電探測器,包括柵極、半導(dǎo)體襯底、絕緣層、二維材料薄膜、源極與漏極,二維材料薄膜上表面水平間隔布置有漏極與源極;半導(dǎo)體襯底的底部設(shè)有異質(zhì)結(jié)。入射光照射到器件表面時,被半導(dǎo)體襯底和異質(zhì)結(jié)吸收,產(chǎn)生的少數(shù)載流子注入積累到由脈沖柵壓形成的襯底深耗盡勢阱中。由于二維材料的特殊性質(zhì),其通過電容耦合有效收集載流子,輸出光電流的信號,實現(xiàn)隨機、無損和高速讀出;本發(fā)明可有效擴寬光電探測器的光譜響應(yīng)范圍,實現(xiàn)從紫外光、可見光到紅外光的寬光譜探測,同時改變了傳統(tǒng)電荷耦合器件的讀出方式,提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度和可靠性。
聲明:
“基于二維材料/絕緣層/半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的寬光譜光電探測器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)