本發(fā)明公開了一種測量半極性面III族氮化物薄膜缺陷密度的方法及其應(yīng)用。所述的方法包括:采用X射線衍射儀測量生長在異質(zhì)襯底的半極性面III族氮化物薄膜,從而獲得所述薄膜面內(nèi)搖擺曲線半高寬極大值與薄膜的(10?10)晶面、(20?20)晶面、(30?30)晶面的搖擺曲線半高寬與峰位值;計(jì)算獲得其a型位錯(cuò)的半高寬展寬、其半極性面的層錯(cuò)間距L
LcL對半高寬的加寬;計(jì)算獲得其c型位錯(cuò)的半高寬展寬;以及,依據(jù)修正的位錯(cuò)密度計(jì)算公式得出a型、c型位錯(cuò)密度,獲得所述薄膜半極性面缺陷密度。本發(fā)明提供的方法能夠方便、快捷地獲得半極性面III族氮化物薄膜的位錯(cuò)密度,利于進(jìn)行半極性面III族氮化物薄膜生長技術(shù)的快速反饋調(diào)控,同時(shí)其具有廉價(jià)、無損等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“測量半極性面Ⅲ族氮化物薄膜缺陷密度的方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)