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金-氧化鋅半導體復合結構的合成方法

828 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:58:44

金?氧化鋅半導體復合結構的合成方法。本發(fā)明涉及Au@ZnO納米結構的制備。人們對分析檢測手段提出了更高的要求。超靈敏的表面增強拉曼光譜(surface?enhanced?Raman?spectroscopy,SERS)技術因其無損無污染的指紋特征信息而被認為是高效低廉、強有力的分析檢測手段而廣泛用于環(huán)境領域。貴金屬雖然具有優(yōu)異的SERS檢測性能，但是其局限性無法避免。隨著科技的進步，使得半導體材料的SERS效應的直接觀測取得重大進展，半導體逐漸成為非常有前景的SERS基底材料。但是半導體材料卻因為SERS效應微弱無法與金屬相提并論，而兩者的復合卻產(chǎn)生了1+1大于2的效應，使得實用上SERS技術與生物化學傳感、氣體探測及光催化性能的協(xié)同應用成為現(xiàn)實。

聲明：

“金-氧化鋅半導體復合結構的合成方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)