本發(fā)明公開了一種基于GaN HEMT器件的自激驅(qū)動與功率變換電路。該電路采用了新型的GaN基HEMT器件,提高電路工作頻率至MHz。器件采用了硅襯底,并采用了Q1和Q2雙晶體管片上設(shè)計,兩個晶體管共用一個晶圓,減小體積、降低成本、提升可靠性控制。器件還采用了集成式反向并聯(lián)二極管結(jié)構(gòu),提升器件的反向?qū)ㄌ匦浴k娐吠ㄟ^功率電路主變壓器中的第三輔助繞組Na,采用正反饋模式的自激驅(qū)動腔自動為Q1提供驅(qū)動信號,無須控制
芯片,Q1的驅(qū)動需要通過針對GaN HEMT器件特殊的驅(qū)動緩沖電路來保證其可靠驅(qū)動。電路進一步采用了集成式的高頻電流逐周期檢測方案,與自激驅(qū)動腔共用一個線圈,省去了電流檢測電阻,實現(xiàn)了無損耗電流檢測。
聲明:
“基于GaNHEMT器件的自激驅(qū)動與功率變換電路” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)