本發(fā)明涉及一種聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法,包括下列步驟:對(duì)聚酰亞胺薄膜樣品進(jìn)行電暈充電;迅速檢測(cè)電暈充電后所述聚酰亞胺薄膜樣品,檢測(cè)所述聚酰亞胺薄膜樣品的表面電位隨時(shí)間的變化值并記錄數(shù)據(jù)V(t),其中V表示表面電位,t表示時(shí)間;獲取時(shí)間與V(t)對(duì)時(shí)間的導(dǎo)數(shù)的乘積與時(shí)間的關(guān)系,即tdV(t)/dt~logt;作出tdV(t)/dt~log對(duì)應(yīng)的曲線,根據(jù)曲線狀態(tài)評(píng)估聚酰亞胺薄膜表面電荷積累及消散能力的特性。本方法和裝置不需要對(duì)聚酰亞胺薄膜進(jìn)行任何破壞,能夠?qū)崿F(xiàn)無損檢測(cè),操作過程簡(jiǎn)單方便,能夠直觀、準(zhǔn)確而有效地評(píng)估樣品表面電荷積累及消散能力的情況。
聲明:
“聚酰亞胺薄膜表面電荷特性分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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