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增強型半導體結構

839 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:58:56

本實用新型提供了一種增強型半導體結構，增強型半導體結構包括：自下而上分布的半導體襯底、異質結結構、帽層、第一鈍化層以及第二鈍化層；貫穿第一鈍化層與第二鈍化層的凹槽；以及至少位于凹槽的內(nèi)壁的柵極絕緣層。在干法刻蝕第二鈍化層形成凹槽后，第一鈍化層可用于刻蝕終點檢測，避免過刻蝕。在第二鈍化層凹槽處暴露出的第一鈍化層，可通過濕法刻蝕去除。濕法刻蝕去除第一鈍化層時，帽層具有極高的穩(wěn)定性，所以濕法腐蝕去除第一鈍化層后，不會損傷帽層。無損傷的帽層能有效降低異質結結構的表面缺陷，以降低電子被缺陷捕獲的幾率，實現(xiàn)減弱電流崩塌效應以及降低動態(tài)導通電阻。

聲明：

“增強型半導體結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)