本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體深孔刻蝕后的工藝監(jiān)控方法，包括以下步驟：a.提供具有預(yù)定形狀和尺寸的測(cè)試結(jié)構(gòu)；b.測(cè)量所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的質(zhì)量，得到容差范圍；c.測(cè)量待監(jiān)控晶圓的質(zhì)量，并與所述容差范圍進(jìn)行比較，若待監(jiān)控晶圓的質(zhì)量值在容差范圍內(nèi)，則認(rèn)為深孔的刻蝕深度已經(jīng)達(dá)到要求；若不在容差范圍內(nèi)，則深孔的刻蝕深度沒(méi)有達(dá)到工藝要求，需要對(duì)刻蝕工藝條件進(jìn)行調(diào)整。本發(fā)明采用無(wú)損傷的高精度質(zhì)量量測(cè)方法，通過(guò)測(cè)量硅深孔硅刻蝕后的質(zhì)量，來(lái)間接表征硅深孔刻蝕深度是否達(dá)到工藝要求。晶圓整片測(cè)量，不需要特定測(cè)試結(jié)構(gòu)，方便快捷；且反饋結(jié)果直觀，快速，準(zhǔn)確，且對(duì)晶圓無(wú)損傷。