本發(fā)明公開了一種襯底上
碳納米管水平陣列密度的快速光學(xué)表征方法。該方法包括如下步驟:將單根碳納米管的光學(xué)吸收性質(zhì)推廣至宏觀材料中,將二維材料(如
石墨烯)的光學(xué)表征方法引入碳納米管水平陣列領(lǐng)域,建立光學(xué)襯度與碳納米管水平陣列密度及不同類型碳納米管比例之間的定量公式,利用交叉偏振方法顯著提高碳納米管的光學(xué)信號(10-100倍),實現(xiàn)所述高密度碳納米管水平陣列的光學(xué)表征。本發(fā)明提供的方法,克服了傳統(tǒng)表征方法耗時、操作復(fù)雜、易損傷樣品的缺點,實現(xiàn)了襯底上碳納米管密度和類型的快速、準(zhǔn)確、無損傷的表征,可廣泛應(yīng)用于碳納米管的生長和測試實驗中,為優(yōu)化碳納米管生長方法提供必不可少的監(jiān)控和反饋措施。
聲明:
“襯底上碳納米管水平陣列密度的快速光學(xué)表征方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)