本發(fā)明公開了一種基于絕緣層上硅的電荷耦合器件,包括背柵極、襯底、埋層氧化層、漏極區(qū)、源極區(qū)、頂層硅溝道區(qū)、漏極金屬接觸、源極金屬接觸、正柵極氧化層和正柵極。入射光照射到器件表面時(shí)被襯底吸收,產(chǎn)生的少數(shù)載流子積累到由脈沖背柵形成的深耗盡勢阱中,頂層薄硅耦合出與勢阱中少子對(duì)應(yīng)的電荷,正柵極施加電壓放大光響應(yīng)信號(hào),從而有效收集載流子,實(shí)現(xiàn)隨機(jī)、無損和高速讀出;本發(fā)明可有效擴(kuò)寬傳統(tǒng)電荷耦合器件的光譜響應(yīng)范圍,同時(shí)改變了傳統(tǒng)電荷耦合器件的讀出方式,產(chǎn)生的信號(hào)直接由單個(gè)像素結(jié)構(gòu)輸出,且通過在正柵極施加電壓對(duì)電荷積累起到增益的作用,放大器件的光響應(yīng)信號(hào),提高探測的響應(yīng)速度和可靠性。
聲明:
“基于絕緣層上硅的電荷耦合器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)