本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件的失效分析方法,通過晶圓鍵合結(jié)構(gòu)的頂部的測試焊盤和外接焊盤對至少位于所述晶圓鍵合結(jié)構(gòu)的頂面晶圓和底面晶圓之間的每個晶圓均進行電性測試,以檢測出失效的晶圓;以及,對所述失效的晶圓進行失效分析,以定位出晶圓鍵合結(jié)構(gòu)中的失效的晶圓中的失效點,使得至少能夠測試出晶圓鍵合結(jié)構(gòu)的頂面晶圓和底面晶圓之間的晶圓是否失效以及測試出失效的晶圓中的失效點,進而使得能夠快速且準(zhǔn)確的定位多片晶圓鍵合的結(jié)構(gòu)中的失效晶圓以及失效點,提高了失效分析的效率和成功率。
聲明:
“半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件的失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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