本發(fā)明提供了一種用于失效分析的樣品的處理方法及失效分析方法,所述用于失效分析的樣品的處理方法包括:在晶圓上獲取待分析的
芯片樣品;將所述芯片樣品去層至目標(biāo)銅金屬層結(jié)構(gòu)上表面;在所述目標(biāo)銅金屬層結(jié)構(gòu)上表面的待檢測位置形成鍍碳保護(hù)層。本發(fā)明的技術(shù)方案降低了金屬表面出現(xiàn)銅擴(kuò)散的概率,使得在失效分析過程中制備芯片樣品的失敗率大大降低,并且縮短了分析周期,加快了找到芯片失效關(guān)鍵原因的速度。
聲明:
“用于失效分析的樣品的處理方法及失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)