本發(fā)明提供一種失效分析結(jié)構(gòu)的形成方法,包括:提供基底,并在所述基底上形成第一金屬層;在所述第一金屬層上依次形成第一導(dǎo)電插塞及第二金屬層,所述第二金屬層通過第一導(dǎo)電插塞與第一金屬層依次相連構(gòu)成串聯(lián)結(jié)構(gòu);在所述第二金屬層上形成第二絕緣層及第二導(dǎo)電插塞,所述第二導(dǎo)電插塞與第二金屬層相連;在所述第二絕緣層上形成測(cè)試金屬層,所述測(cè)試金屬層通過第二導(dǎo)電插塞與第二金屬層相連。本發(fā)明還提供一種失效分析結(jié)構(gòu)及其失效分析方法。本發(fā)明失效分析結(jié)構(gòu)和失效分析方法僅需要暴露出測(cè)試金屬層,不會(huì)損害第二金屬層,提高失效分析結(jié)果的準(zhǔn)確性。
聲明:
“失效分析結(jié)構(gòu)、其形成方法及其失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)