本發(fā)明涉及一種用于柵氧化層失效分析的測(cè)試結(jié)構(gòu)及柵氧化層失效分析方法,所述測(cè)試結(jié)構(gòu)包括含有柵氧化層的待測(cè)半導(dǎo)體器件,以及位于所述待測(cè)半導(dǎo)體器件外圍的在施加偏置電壓后能產(chǎn)生光發(fā)射的至少1個(gè)半導(dǎo)體器件,避免了現(xiàn)有技術(shù)在失效定位過(guò)程中產(chǎn)生的疊圖偏差,達(dá)到準(zhǔn)確定位柵氧化層的失效位置的目的。
聲明:
“柵氧化層失效分析方法及所用測(cè)試結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)