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半導(dǎo)體器件失效分析樣品制作方法及分析方法

1022   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:59:29
一種半導(dǎo)體器件失效分析樣品的制作方法,本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體器件失效分析樣品的制作方法包括:提供待測(cè)的半導(dǎo)體器件,所述半導(dǎo)體器件包括晶片和封裝覆層;去除晶片背面的封裝覆層,直至暴露晶片焊墊;去除晶片焊墊;去除晶片背面的封裝覆層,暴露引腳框架,不暴露晶片內(nèi)的引線。相應(yīng)地,本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件失效分析方法。采用本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體器件失效分析樣品制作方法和分析方法可以有效提高實(shí)效分析的效率,并且在暴露晶片背面的時(shí)候能夠避免對(duì)晶片造成損傷。
聲明:
“半導(dǎo)體器件失效分析樣品制作方法及分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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