本申請(qǐng)公開了一種半導(dǎo)體激光芯片失效分析方法。其中，所述方法包括：去除半導(dǎo)體激光芯片的襯底，直至露出所述半導(dǎo)體激光芯片的外延層；通過顯微鏡的暗場(chǎng)模式觀察所述外延層，分析得出失效部位。由于無需專門設(shè)備，僅使用顯微鏡即可解決激光芯片失效模式分析問題，從而降低了高功率半導(dǎo)體激光芯片失效分析成本；并且，顯微鏡是常用工具，不像專門設(shè)備，操作簡(jiǎn)單，無需專業(yè)技術(shù)人員即可操作，降低了高功率半導(dǎo)體激光芯片失效的門檻。并且，通過顯微鏡的暗場(chǎng)模式來直接觀察所述外延層，保持了對(duì)失效區(qū)域高質(zhì)量的成像，對(duì)推動(dòng)高功率半導(dǎo)體激光芯片各項(xiàng)性能指標(biāo)的研究有重要作用。