本發(fā)明公開(kāi)了一種基于ANSYS的MMC子模塊壓接式IGBT短期失效分析方法,包括以下步驟:步驟一、利用ANSYS的Simplorer得到MMC子模塊壓接式IGBT在工況下的損耗;步驟二、利用ANSYS的SpaceClaim,進(jìn)行IGBT模型的建立;步驟三、通過(guò)ANSYS的Icepak以及Simplorer對(duì)步驟二得到的IGBT模型進(jìn)行Foster網(wǎng)絡(luò)的提取;步驟四、將步驟一計(jì)算得到的損耗,導(dǎo)入到步驟三提取的Foster網(wǎng)絡(luò)中,得到IGBT內(nèi)部各位置的實(shí)時(shí)溫度變化情況。本發(fā)明能夠抓住短時(shí)間尺度下MMC子模塊壓接式IGBT失效的主要因素,逐步得到工況下IGBT內(nèi)部溫度的精確分布情況。
聲明:
“基于ANSYS的MMC子模塊壓接式IGBT短期失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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