本發(fā)明提供一種
芯片失效分析樣品的制備方法,包括步驟:1)提供一芯片,所述芯片具有一正面及一背面,且所述芯片包裹有封裝膜塑;2)于所述芯片中定義目標(biāo)層,對(duì)所述芯片的正面一側(cè)進(jìn)行研磨,去除所述正面一側(cè)的封裝塑膜及部分的芯片,直至研磨面與所述目標(biāo)層表面之間具有一預(yù)設(shè)間距;3)于所述研磨面表面形成保護(hù)層;4)去除剩余的封裝膜塑;5)采用拋光工藝去除所述保護(hù)層,并繼續(xù)拋光直至露出所述目標(biāo)層。由于封裝膜塑與芯片有匹配的膨脹系數(shù),研磨過(guò)程中芯片不會(huì)彎曲,而且,封裝膜塑能很大程度的加大樣品的尺寸,增加研磨時(shí)的方位可控性;后續(xù)過(guò)程中采用氣相沉積法形成保護(hù)層后去除封裝塑膜,然后進(jìn)行拋光便可獲得平坦的目標(biāo)層。
聲明:
“芯片失效分析樣品的制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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