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覆晶芯片取裸片的制備方法及失效分析方法

734 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-19 08:59:31

本發(fā)明提供一種覆晶芯片取裸片的制備方法及失效分析方法，其中，本發(fā)明覆晶芯片取裸片的制備方法包括：提供覆晶芯片，覆晶芯片包括裸片及封裝于裸片的外部的封裝結構，裸片的正面具有錫球；研磨封裝結構，直至裸露出裸片正面的錫球；采用淋酸蝕刻的方式蝕刻裸片的正面，去除裸片正面的錫球、殘留的封裝結構，達到裸片正面完全開封以得到裸片樣品。本發(fā)明覆晶芯片取裸片的制備方法不需要用酸煮沸去除封裝結構，而是研磨掉封裝結構的一部分，再使用淋酸蝕刻的方式去除錫球和裸片正面的封裝結構，從而獲得裸片，不會造成崩邊或裂痕，使用此裸片進行其他實驗時，可排除人為因素對裸片的影響，提高了實驗準確性，具有優(yōu)異的技術效果。

聲明：

“覆晶芯片取裸片的制備方法及失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)