本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種晶片的獲取方法及半導(dǎo)體器件的失效分析方法,其中,所述晶片的獲取方法包括:在半導(dǎo)體器件中的至少兩個(gè)堆疊的封裝晶片中,確定出目標(biāo)晶片;采用第一去除工藝,對(duì)位于所述目標(biāo)晶片第一側(cè)的封裝晶片進(jìn)行去除處理,并保留與所述目標(biāo)晶片第一側(cè)相鄰的封裝晶片的部分結(jié)構(gòu)作為犧牲層,以覆蓋所述目標(biāo)晶片的第一側(cè);采用刻蝕工藝去除所述犧牲層;采用第二去除工藝,對(duì)位于所述目標(biāo)晶片第二側(cè)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行去除處理,直至暴露出所述目標(biāo)晶片第二側(cè)的表面為止,以獲取到處理后的目標(biāo)晶片,其中,所述第一側(cè)和所述第二側(cè)為所述目標(biāo)晶片沿堆疊方向的兩側(cè)。
聲明:
“晶片的獲取方法及半導(dǎo)體器件的失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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