本發(fā)明涉及電子器件輻射效應領(lǐng)域,特別是涉及一種大氣中子誘發(fā)的SRAM器件失效率檢測方法和系統(tǒng),通過對SRAM陣列進行大氣中子單粒子效應檢測,獲取SRAM陣列的大氣中子單粒子效應檢測的測量數(shù)據(jù);獲取所述SRAM陣列的總?cè)萘?;根?jù)所述測量數(shù)據(jù)以及所述SRAM陣列的總?cè)萘揩@取SRAM器件失效率。在此方案中,所述測量數(shù)據(jù)為對SRAM進行大氣中子單粒子效應檢測后獲得的數(shù)據(jù),所述測量數(shù)據(jù)能夠提高大氣中子單粒子效應下的獲取的SRAM器件失效率的準確度,從而實現(xiàn)SRAM器件大氣中子單粒子效應敏感性的準確定量評價,解決我國目前SRAM器件大氣中子單粒子效應評價方法缺失的難題。
聲明:
“大氣中子誘發(fā)的SRAM器件失效率檢測方法和系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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