本發(fā)明涉及一種以測量電壓效應為基礎的
芯片失效方法,其特征在于:按以下步驟進行:1)將芯片通過開蓋機,并將封裝的樹脂去掉,將裸晶外露;2)將芯片放入到工作電路中,讓芯片處于工作狀態(tài);3)開啟掃描電子顯微鏡,將加速電場電壓調(diào)整至60kV;4)將正常的芯片放入樣品室進行掃描,得到正常芯片的電壓襯度像;5)將失效的芯片放入樣品室進行掃描,得到失效芯片的電壓襯度像;6)利用掃描電子顯微鏡的圖像顯示和記錄系統(tǒng)對正常芯片的電壓襯度像和失效芯片的電壓襯度像進行比較,求出并顯示差像,即可根據(jù)差像確定芯片的失效位置,該方法簡單易行,可準確定位失效芯片的故障點。
聲明:
“以測量電壓效應為基礎的芯片失效方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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