本發(fā)明提出一種電遷移失效的剩余壽命預(yù)測(cè)方法,包括步驟:建立MOS器件的電遷移壽命模型;根據(jù)預(yù)設(shè)的正常工作條件下的電流密度和第一環(huán)境溫度,以及電遷移壽命模型,獲取正常電遷移失效的壽命T1;根據(jù)目標(biāo)預(yù)兆點(diǎn)T2和第二環(huán)境溫度,以及電遷移壽命模型,獲取電流密度應(yīng)力;將電流密度應(yīng)力輸入基于預(yù)兆單元的MOS器件電遷移失效預(yù)警電路;若基于預(yù)兆單元的MOS器件電遷移失效預(yù)警電路經(jīng)過時(shí)間T3后輸出高電平,則根據(jù)T1、T2以及T3,獲取對(duì)應(yīng)T2的電遷移失效的剩余壽命。本發(fā)明還提出一種電遷移失效的剩余壽命預(yù)測(cè)裝置,可以提高預(yù)測(cè)MOS器件電遷移失效剩余壽命的可靠性,提高預(yù)測(cè)效率,降低成本。
聲明:
“電遷移失效的剩余壽命預(yù)測(cè)方法和裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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