本實用新型提供一種識別超低k介質TDDB失效模式的測試結構,包括:TDDB測試結構,包括間隔且并排設置的第一TDDB測試結構、第二TDDB測試結構和第三TDDB測試結構;大塊源區(qū)域,對稱位于第二TDDB測試結構的兩側,適于提供銅離子源或水汽源;其中,所述水汽源的外周設有環(huán)狀的隔水結構,且所述隔水結構面對所述第二TDDB測試結構的一側均設有開口;偽柵結構,分別位于大塊源區(qū)域與第一TDDB測試結構之間以及大塊源區(qū)域與第三TDDB測試結構之間,適于隔離各個TDDB測試結構,使其獨立工作。本實用新型可同時識別銅離子擴散模式和水分滲透模式的超低k介質TDDB失效問題,利于排除故障,節(jié)約時間;所述測試結構適于電容測試、斜坡電壓測試、TDDB測試以及漏電流測試。
聲明:
“識別超低k介質TDDB失效模式的測試結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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