在裸片級(jí)上對(duì)半導(dǎo)體良率進(jìn)行模型化以預(yù)測(cè)容易發(fā)生過(guò)早使用壽命失效(ELF)的裸片。依據(jù)從半導(dǎo)體制造過(guò)程中的晶片測(cè)試獲得的參數(shù)數(shù)據(jù)進(jìn)行第一裸片良率計(jì)算。僅依據(jù)裸片位置進(jìn)行第二裸片良率計(jì)算。所述第一裸片良率計(jì)算與所述第二裸片良率計(jì)算之間的差是預(yù)測(cè)差值?;趯?duì)所述第一裸片良率計(jì)算和所述預(yù)測(cè)差值的評(píng)估,可識(shí)別過(guò)早使用壽命失效的可能性并且可確立可接受的裸片損耗水平以從進(jìn)一步處理移除裸片。
聲明:
“預(yù)測(cè)容易發(fā)生過(guò)早使用壽命失效的裸片” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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