本發(fā)明提供了一種失效的定位方法,用于定位按陣列排布的晶體管單元中柵極與有源區(qū)之間漏電的缺陷單元,上述定位方法包括:測量連接有源區(qū)的第一金屬線和連接?xùn)艠O的第二金屬線之間的電阻,通過電阻比例確定上述缺陷單元所在的第一區(qū)域;使各個有源區(qū)接觸孔和各個柵極接觸孔相互電氣隔離;短接第一區(qū)域中的各個柵極接觸孔;以及對第一區(qū)域中的多列晶體管單元執(zhí)行主動電壓襯度分析,通過對比電壓襯度圖像,從第一區(qū)域中定位缺陷單元。通過本發(fā)明所提供的定位方法,能夠從按陣列排布的眾多晶體管單元中準(zhǔn)確地找到nA級別的漏電缺陷所在的晶體管單元。有助于基于上述缺陷調(diào)整工藝,提高半導(dǎo)體器件的良率。
聲明:
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