本發(fā)明公開(kāi)了一種失效
芯片的剝層方法,其至少包括以下步驟:獲取待分析的失效芯片,確認(rèn)失效芯片的目標(biāo)區(qū)域;預(yù)處理失效芯片,以露出目標(biāo)區(qū)域的金屬布線;移除金屬布線,并清洗失效芯片;以及研磨目標(biāo)區(qū)域的介質(zhì)層,以獲得剝層樣品;其中,移除金屬布線的步驟包括:在金屬布線上粘貼黏膜;以及待黏膜與金屬布線粘合后,去除黏膜,以移除金屬布線。本發(fā)明提供了一種失效芯片的剝層方法,可提升芯片物理剝層的均勻性。
聲明:
“失效芯片的剝層方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)