本發(fā)明實施例公開了一種高壓半導體器件的短期失效模型的建模方法,包括:根據(jù)高壓半導體器件的內(nèi)部元胞結構得到正常工作模型;建立根據(jù)所述高壓半導體器件失效后的器件模型;檢測所述高壓半導體器件的工作參數(shù);當所述工作參數(shù)滿足失效邊界條件時,從所述正常工作模型切換到所述失效后的器件模型。由此,可以有效地同時描述失效發(fā)展過程中的器件行為和器件失效的最終狀態(tài)。
聲明:
“高壓半導體器件短期失效模型的建模方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)