本發(fā)明公開(kāi)了一種功率半導(dǎo)體芯片并聯(lián)結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動(dòng)回路過(guò)流失效抑制方法，屬于電力電子器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明設(shè)計(jì)了一種新型的功率半導(dǎo)體芯片并聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括功率漏極端口、功率源極端口、輔助源極端口、柵極端口和若干個(gè)并聯(lián)的功率半導(dǎo)體芯片，基于對(duì)并聯(lián)功率半導(dǎo)體芯片的源極至輔助源極過(guò)流失效現(xiàn)象的分析，在輔助源極和芯片源極間加入了呈正溫度特性的熱敏元件，在正常運(yùn)行過(guò)程中可充當(dāng)驅(qū)動(dòng)回路電阻，不影響運(yùn)行；在并聯(lián)結(jié)構(gòu)老化或故障狀態(tài)下，失衡電流流經(jīng)熱敏電阻，使其升溫以及阻值增大，抑制芯片驅(qū)動(dòng)回路上失衡電流的幅值，避免驅(qū)動(dòng)回路過(guò)流失效，提高了功率半導(dǎo)體模塊的使用壽命和運(yùn)行可靠性。