本發(fā)明公開(kāi)了一種功率MOS失效位置的判定方法,包含:步驟1,去除樣品
芯片表面鈍化層,暴露出金屬;步驟2,采用亮點(diǎn)定位工具定位出亮點(diǎn);步驟3,采用激光成像技術(shù),記錄下亮點(diǎn)及其周圍的晶粒的形貌;步驟4,在亮點(diǎn)附近做出標(biāo)記位置;步驟5,在聚焦離子束機(jī)臺(tái)下找到標(biāo)記位置,并找到亮點(diǎn)對(duì)應(yīng)的晶粒交界,進(jìn)行切片分析,從而找到失效位置。
聲明:
“功率MOS失效位置的判定方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)