本公開是關(guān)于一種位元失效數(shù)據(jù)獲取方法、位元失效數(shù)據(jù)獲取裝置、計算機可讀存儲介質(zhì)及電子設(shè)備,涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域。該位元失效數(shù)據(jù)獲取方法包括:將整片晶圓劃分為多個區(qū)域;測試每個所述區(qū)域,生成對應(yīng)的位元失效文件;根據(jù)目標(biāo)待測試
芯片的坐標(biāo),確定所述目標(biāo)待測試芯片所對應(yīng)的目標(biāo)位元失效文件;從所述目標(biāo)位元失效文件中提取所述目標(biāo)待測試芯片的位元失效數(shù)據(jù)。本公開提供一種從整片晶圓的位元失效數(shù)據(jù)中提取一顆或幾顆晶粒的位元失效數(shù)據(jù)的方法。
聲明:
“位元失效數(shù)據(jù)獲取方法及裝置、存儲介質(zhì)及電子設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)